氮化物半导体综合性能优异 行业发展前景广阔
氮化物半导体，属于III-V族半导体，是元素周期表中III族的铝Al、镓Ga、铟In等与V族的氮N形成的化合物，主要包括氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、铝镓氮（AlGaN）、铟镓氮（InGaN）等。与传统半导体相比，氮化物半导体具有宽禁带、导热性好、物理化学性质优异、电子饱和漂移速度高、不含有毒物质、无环境危害等优点，综合性能更佳，可适用场景更为广泛。
氮化物半导体综合性能优点突出，可用来制造发光二极管、射频器件、功率器件、传感器、激光器等多种产品，广泛应用在照明、通信、电源、电子电气、显示面板、新能源汽车、光伏发电等行业中。因此氮化物半导体受到众多高校与科研机构的关注，相关研究非常活跃，20世纪90年代以来，全球专利申请量快速增多，同时在利益吸引下，布局该领域的相关厂商数量也在不断增加。
根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年氮化物半导体行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在氮化物半导体中，氮化镓属于第三代半导体，行业发展具有代表性。2018-2020年，全球氮化镓器件市场年均复合增长率为29.3%；2020年，全球氮化镓器件市场规模约为186亿美元；光电器件、射频器件是氮化镓的主要细分市场；电力、汽车、通信等行业是氮化镓的主要下游市场。由氮化镓行业发展可以看出，全球氮化物半导体行业发展势头强劲。
我国高新技术产业发展迅速，传统产业技术也在不断升级，市场对性能更优的新型材料需求旺盛，第三代半导体材料受到政府关注。2016年，“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项中，第三代半导体材料与半导体照明被列入；2021年，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项中，第三代半导体及前沿电子材料与器件也被列入。相关鼓励支持政策不断推出，利好我国氮化物半导体行业发展。
新思界行业分析人士表示，从技术研究来看，我国北京大学、上海大学等高校陆续在氮化物半导体领域取得重要研究进展，例如北京大学的研究成果对于理解和认识C杂质在GaN、AlN、ZnO等六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为具有重要价值。从产业化发展来看，我国氮化物半导体产业链上下游企业数量不断增多，例如2021年12月，蓝蕊半导体总部正式落户苏州高新区，将围绕第三族氮化物大尺寸、非极性系列衬底及外延的规模量产和研发。总的来看，我国氮化物半导体行业发展前景广阔。
